隨著5G、電動車等新應用百花齊放，對高頻、高速運算、高速充電需求大增，傳統以矽及砷化鎵為材料的第一代與第二代半導體在溫度、頻率、功率等已達極限，無法用於嚴苛環境，具備高能效、低能耗的第三代半導體成為市場當紅炸子雞，吸引鴻海、聯電等大型集團積極搶進，試圖開啟新的獲利方程式。

科技市調機構集邦科技（TrendForce）推估，第三代半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。

其中，碳化矽（SiC）適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。

從鴻海與聯電集團布局來看，鴻海集團本來就已經深耕半導體上中下游領域，從IC設計、晶圓製造、封裝測試與設備均非常完整。

鴻海董事長劉揚偉曾公開強調，鴻海要發展的半導體，不是昂貴困難的先進製程，而是鎖定成熟製程，更何況這些成熟製程的IC，都是未來電動車要使用到的零組件，因此，鴻海的半導體大業，其實是為了電動車的發展而布局。

儘管外界對鴻海集團發展半導體的技術仍有些疑慮，但鴻海半導體事業群總經理陳偉銘指出，很多事情他無法明講，因為一旦講出來，競爭對手就會模仿他們。不過，鴻海在半導體製程上，有自己的特殊製程技術、特殊的know how，進而讓鴻海的電動車半導體元件，與眾不同。

聯電主要透過轉投資聯穎光電切入第三代半導體，初期鎖定6吋氮化鎵（GaN）產品，考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎也建置技術平台，完成後會把平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。

聯電近期則擴大第三代半導體布局，今年陸續自行購置蝕刻、薄膜新機台，下半年陸續進駐8吋AB廠，瞄準8吋晶圓生產第三代半導體的經濟效益優於6吋晶圓的方向，全力搶攻商機。<摘錄經濟>