全球記憶體市場進入劇烈變動期！據業界消息指出，三星電子已正式通知客戶，將於2025年4月終止1z製程8Gb LPDDR4記憶體生產（EOL，End of Life），並要求客戶在6月前完成最後買進訂單（Last Buy Order,LBO），預計最遲於10月前完成出貨。

業者分析，主要是因為因為中國大陸低階手機採用的LPDDR4，已被大陸長鑫存儲拿走訂單，三星未來將會更聚焦LPDDR5以上的高階產品。

此舉也宣告DRAM產品結構再度洗牌，並反映韓系原廠正加速將產能轉向高階產品，如高頻寬記憶體（HBM）與DDR5。

台系記憶體廠如華邦電、南亞科因主力產品放在DDR4，法人預期，有望受惠於三星停產DDR4的動作。

業界人士指出，早在數月前，已傳出三星有意停產部分DDR4產品，主要原因包括：一、為集中資源於獲利能力更高的HBM與DDR5產品線；二、陸廠長鑫存儲持續擴張DDR4產能，並採取低價搶市策略，導致市場競爭加劇與利潤壓縮。

此外，全球市場亦受到地緣政治因素干擾，美國總統川普於4月9日啟動對等關稅機制，擬對台灣出口至美國的記憶體模組與SSD等產品課徵32％關稅。

雖然晶圓與裸晶型態HBM、DDR與NAND不在此波課稅清單中，但終端模組產品需求恐將受到壓抑，進一步拖累全球消費性記憶體市場表現。

根據研究機構最新預測，在中立情境下，2025年全球記憶體位元需求年增率，將自原先預估的12.8％下修至4.8％；而熊市情境更下探至3.5％。

NAND市場方面，儘管目前現貨價格已逼近製造成本，好在原廠啟動10％∼20％的產能調節計畫，仍能維持獲利與價格穩定。

另一方面，陸廠長鑫存儲與長江存儲積極進軍高階記憶體市場。外媒指出，長鑫存儲正以2026年量產HBM3為目標，並預計2027年導入HBM3E，未來或將實現中國大陸HBM自給自足的目標。

目前全球DRAM與NAND資本支出維持保守，整體供應鏈將面對來自中國大陸廠商的激烈競爭與美國對等關稅政策風險升溫。

整體而言，業者認為，記憶體市場短期價格將由備貨與供給收縮支撐，但中長期仍需關注中國大陸擴產進度、美國關稅政策走向及原廠資本支出策略。

(摘錄工商時報 李娟萍)