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台灣美光記憶體
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創意青雲雨露均霑
2024/9/27
美光看旺高頻寬記憶體(HBM)後市,助力台積電衝刺AI業務之際,台積電轉投資特殊應用IC(ASIC)設計服務廠創意搶先與美光合作,為下一代AI ASIC開發HBM相關IP,成為美光HBM業務衝鋒的大贏家。此外,美光通路夥伴青雲也可望搶搭熱潮。

創意在目前最先進的3奈米布局搶先報喜,其3奈米HBM3E控制器與實體層IP已獲得雲端服務供應商(CSP)及多家高效運算(HPC)解決方案供應商採用。外界預期,創意在HBM相關IP領域持續耕耘,隨著HBM應用滲透率提高,未來對其業績貢獻度有機會提升。

創意指出,其HBM3E IP的特點,包括通過台積電先進製程技術驗證,如N7╱N6、N5╱N4P、N3E╱N3P製程等,同時也通過所有主流HBM3廠商的矽驗證,並在台積電CoWoS-S及 CoWoS-R技術上均通過矽驗證。還內建小晶片互連監控解決方案,此功能可增強小晶片的可觀察性與可靠性。

創意表示,其HBM3E IP與美光HBM3E可在CoWoS-S和CoWoS-R技術上實現9.2Gbps,創意測試晶片的矽結果顯示,除了電源完整性(PI)與信號完整性(SI)結果通過考驗。
  <摘錄經濟>
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